Главная
Кабельно-проводниковая продукция
Контакты
Статьи
Заготовки
Угловая ориентация фланцев
Загрузка кассеты бусами
Схема конвейерной печи
ПОЛУЧЕНИЕ МЕТАЛЛОСТЕКЛЯННЫХ СПАЕВ
Смазывание кисточкой
Металлизирующие пасты
Отлитые детали
КЕРАМИЧЕСКИЕ ДЕТАЛИ КОРПУСОВ И ИХ ПОДГОТОВКА К СПАИВАНИЮ С МЕТАЛЛОМ
Чтобы удалить поверхностные загрязнения
СТЕКЛЯННЫЕ ДЕТАЛИ ДЛЯ ИЗОЛЯТОРОВ
Детали корпусов
Отжиг
Технология изоляции посредством керамики
Чтобы предотвратить растрескивание стекла
Другим подходящим металлом
Сочетаемыми парами в согласованных спаях
Расплавленное стекло
ИЗОЛЯЦИЯ ТОКОВЕДУЩИХ ДЕТАЛЕЙ
По употребляемой в настоящее время термипаихимщее
Полупроводниковые приборы
Под унификацией корпуса
УНИФИКАЦИЯ И СТАНДАРТИЗАЦИЯ КОРПУСОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
По конструктивно-технологическому исполнению
СБОРКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 11-1. ОБОЛОЧКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
НОВЫЕ МЕТОДЫ ФОТОЛИТОГРАФИЙ
ВИДЫ БРАКА ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ПРОЦЕССОВ ФОТОЛИТОГРАФИИ
Расстояние между линзами
В отобранном стекле
В последнее время
Изготовление оригинала и промежуточных негативов
ФОТОШАБЛОНЫ. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
При применении травителей-паст
После этого выдерживают пластину в скафандре
Экспонирование фоторезиста
Очистка поверхности
Негативные фоторезисты экспонируют
ФОТОРЕЗИСТЫ И ИХ СВОЙСТВА
СОЗДАНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ РЕЛЬЕФА МЕТОДОМ ФОТОЛИТОГРАФИИ
Удельное объемное электросопротивление
ТОНКИЕ СЛОИ ИЗ ФОСФОРНО-СИЛИКАТНЫХ, БОРОСИЛИКАТНЫХ И СВИНЦОВО-СИЛИКАТНЫХ СТЕКОЛ
В приведенном случае
Подготовка поверхности кремния
Зависимость давления газа
Вакуумное напыление металлов
В качестве технологических методов
МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ
Ниже приведена зависимость скорости роста пленки
Получение нитрида кремния
ПОЛУЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК НИТРИДА КРЕМНИЯ
Схема аппарата для проведения пиролиза в потоке инертного газа.
Наиболее оптимальный режим
Окисление в среде кислорода
Окисление кремния
В процессе диффузии газы
СОЗДАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ
Проводящая подложка
ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛ И КРИСТАЛЛ И ЧЕС КО ГО КРЕМНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
Разработан метод
САНДВИЧ-МЕТОД И СОВМЕЩЕННЫЙ МЕТОД
Погрешность измерения
МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ И ГЕРМАНИЯ
Температура
ПОЛУЧЕНИЕ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ГЕРМАНИЯ
Точность измерения толщины
Толщину эпитаксиальных слоев
На поверхности эпитаксиальных слоев
Вторичные царапины
СТРУКТУРА, МОРФОЛОГИЯ И ИЗМЕРЕНИЕ ТОЛЩИНЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ
Получены количественные зависимости
Необходимость получения эпитаксиальных слоев
Попытки транспортировки кремния
ПОЛУЧЕНИЕ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ ИЗ ПАРОГАЗОВОЙ ИЛИ ГАЗОВОЙ СМЕСИ
Кристаллизация с помощью молекулярного пучка
ПОЛУЧЕНИЕ КРЕМНИЕВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ
Важным отличием ионной имплантации
Ионизация примесных атомов
Элионное легирование полупроводников
Локальную диффузию с чередованием операций
Над эмиттерной областью контактное окно
Весьма серьезными дефектами при второй фотолитографии
Разгонку ведут в атмосфере влажного кислорода
Задача фотолитографии
Очищенные пластины
Общая толщина окисной пленки
Исходными заготовками
Обычно толщина окисной пленки
При обработке кремниевых пластин
ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ
Расплавившийся сплав
Схема изготовления меза-диффузионно-сплавного транзистора.
На хорошо отполированную и очищенную
Наиболее распространенным методом определения
Замеры
Вытесненные Металлы
Для получения косого шлифа
КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ДИФФУЗИИ
УСЛОВИЯ ПРОВЕДЕНИЯ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ
Кассеты и лодочки
ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОСНАЩЕНИЕ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ
Помимо состава газа-носителя
После образования пленки
ГАЗОСНАБЖЕНИЕ ДИФФУЗИОННЫХ ПЕЧЕЙ
Двухзонный метод диффузии
Схема двухзонной диффузионной печи
Печи различаются по способу нагрева
ДИФФУЗИЯ В НЕЗАМКНУТОМ ОБЪЕМЕ
Для диффузии в частично замкнутом объеме
Пластические деформации
ДИФФУЗИЯ В ЗАМКНУТЫХ ИЛИ ЧАСТИЧНО ЗАМКНУТЫХ ОБЪЕМАХ
Более удобно создание источника
ВИДЫ ДИФФУЗИИ
Если диффузия проводится в окисляющей среде
Заготовками служат тонкие монэкристаллические пластины
ТРЕБОВАНИЯ К ЗАГОТОВКАМ И МАТЕРИАЛАМ, ПРИМЕНЯЕМЫМ ПРИ ДИФФУЗИИ
Высокая температура процесса
Схема возникновения точечных дефектов и диффузии замещения в кристалле.
МЕХАНИЗМ ДИФФУЗИИ
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ГЛУБИНЫ СПЛАВЛЕНИЯ
Сплавление
ВЫБОР РЕЖИМОВ СПЛАВЛЕНИЯ
Загрузка беспробочной кассеты
В отверстия пробок закладывают дозированные цилиндры
СБОРКА ДЕТАЛЕЙ ПЕРЕД СПЛАВЛЕНИЕМ
При изготовлении маломощных приборов
Исходный полупроводниковый материал
Электронно-дырочный переход
ПОЛУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ МЕТОДОМ СПЛАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКА С ПРИМЕСНЫМ ЭЛЕМЕНТОМ
Заострение зондов
ТОЧЕЧНО-КОНТАКТНЫЙ МЕТОД ПОЛУЧЕНИЯ р-п ПЕРЕХОДОВ
ОСНОВНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ СТРУКТУР
Параметры процесса
Ионно-плазменную очистку
Ионно-плазменные процессы
ИОННО-ПЛАЗМЕННАЯ ОЧИСТКА ПОДЛОЖЕК
Недостатком сероводорода
Снижения температуры полировки
ГАЗОВАЯ ПОЛИРОВКА КРЕМНИЯ
Сущность обработки
Ультразвуковая очистка
Ацетон СН3СОСН3
ТЕХНОХИМИЧЕСКАЯ ОЧИСТКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ И структур
ХИМИКО-ДИНАМИЧЕСКАЯ ПОЛИРОВКА
При промышленном выпуске кремниевых приборов
Бром
На скорость травления германия в пергидроле влияют многие факторы
В качестве примера избирательных травителей
Очень часто химическое травление кристаллов
Основными узлами контрольно-сортировочных автоматов
Шероховатость
Кабельная продукция
Электротехника
Кабельная продукция
Полупроводники
Заготовки
Кабели
Теплый дом : кирпич москва
Стоимость монтаж системы видеонаблюдения
Двери Софья, Александрийские двери,
двери межкомнатные
, стальные двери с доставкой по Москве.