Кремниевые приборы по сравнению с германиевыми имеют меньшие обратные токи, могут работать при повышенных температурах (до 120—150°С), допускают более высокие удельные нагрузки и значительно большие напряжения.
Поликристаллический кремний марок КП используется как сырье для монокристаллов, а также для получения подложек пленок в некоторых полупроводниковых приборах и для изготовления технологического оснащения (кассет). Из монокристаллического кремния, для легирования которого применяются Al, As, В, Р, Sb, изготавливают кристаллы полупроводниковых приборов.
Марки монокристаллического кремния выпускаются нескольких классов.

Первый класс образуют марки кремния дырочного типа проводимости с высоким удельным сопротивлением (от 1 до 6 кОм-см)„ Его монокристаллы получают бестигельной зонной плавкой из поликристаллического материала, в свою очередь получаемого путем термического разложения моносилана. Отсюда и маркировка в'ысо-коомных слитков, состоящая из трех букв —КМД, kqtq?
рай расшифровывается так: К — кремний, М — монобй-лановый, Д — дырочного типа проводимости. После букв пишут цифру (через черточку), указывающую удельное электрическое сопротивление (от 1 до 6 кОм-см через 1 кОм-см). Длина диффузии у моносиланового кремния равна 1,2—1,4 мм, а плотность дислокаций на поверхности слитков не должна быть более 5-104 см~2.
Второй класс составляют марки низкоомного электронного монокристаллического кремния КЭМ-0,003 и КЭМ-0,004. Буквы в маркировке обозначают: К — кремний, Э — электронного типа проводимости, М—легирующий элемент — мышьяк; цифры—удельное сопротивление (0,003 и 0,004 Ом-см). Плотность дислокаций у слитков этих марок не должна быть более 103 см~2.
Третий класс образуют марки монокристаллического кремния общего назначения, получаемого как методом Чохральекого, так и методом бестйгельной Зонной плавки (табл. 4-3).