Крепление пластин и кристаллов в процессе шлифования помимо вышеописанных методов, связанных с приклейкой и свободной укладкой в сепараторах, может осуществляться также методом оптического контакта за счет молекулярного сцепления и методом вакуумного крепления. Метод оптического контакта и метод вакуумного крепления обеспечивают при шлифовании качественное базирование пластин и кристаллов.
Качество шлифования в значительной степени определяется качеством приготовления абразивной суспен-3 И ИI Для этой цели обычно используют микропорошкц электрокорунда белого (ЭБ) и карбида кремния зеленою (КЗ) с зернистостью от 3 до 20 мкм. Грануломет-рический состав, характеризующийся однородностью размеров абразивных зерен, улучшают дополнительным отмучиванием микропорошков. Отмучивание основано на разной скорости оседания зерен микропорошка различных размеров (крупной, мелкой и предельной фракций), взвешенных в суспензии. Для приготовления суспензии для шлифования используют только отмученные микропорошки, поскольку присутствие в ней зерен крупной и предельной фракций приводит к образованию на поверхности пластин и кристаллов рисок и выколок разной глубины. Оптимальной концентрацией микропорошков в шлифовальной суспензии является концентрация в пределах 20—33%! микропорошка в жидкости. Чистота обработки поверхности пластин и кристаллов при шлифовке зависит от величины зерен используемого абразивного микропорошка и колеблется от 7-го до 12-го класса чистоты.
Однако в ряде случаев такой класс чистоты обработки оказывается недостаточным. Например, для проведения процесса эпитаксии или ряда процессов в пла-нарной технологии необходимо добиваться чистоты обработки 14-го класса. Такая чистота обработки достигается полированием.
На рис. 5-16 приведен разрез плоскошлифовального прецизионного станка, предназначенного для односторонней шлифовки и полировки полупроводниковых пластин и кристаллов. Как правило, на таких станках проводят полировку, обеспечивающую чистоту обработки поверхности пластин до 14-го класса.