Заготовками служат тонкие монэкристаллические пластины, к которым предъявляется ряд требований:
1. Материал пластины должен обладать нужным типом проводимости и строго определенным удельным сопротивлением.
2. Пластины должны быть сориентированы в определенной кристаллографической плоскости, обычно совпадающей с плоскостью (111).
3. Пластины должны быть достаточно тонкими и иметь взаимно параллельные стороны. В ряде случаев предусматривается припуск для удаления с одной из сторон слоя, насыщенного диффузантом, так как диффузия примеси в немаскированный материал идет по всей поверхности, что приводит к созданию двух противоположно направленных р-п переходов.
4. С пластины должны быть удалены мйкронеровно-сти поверхностного слоя, так как фронт диффузии весьма точно повторяет рельеф поверхности, через которую она протекает. Только при получении глубоких диодных р-п переходов можно ограничиваться тонким шлифованием пластин. Во всех остальных случаях необходима полировка, выполняемая тем тщательней, чем меньше требуемая глубина диффузионного слоя.
При создании неглубоких р-п переходов, а также зон с малыми концентрациями примеси целесообразно пол-
206
Мое удаление нарушенного слоя, включая зойу остаточных напряжений (достигается химической полировкой), так как состояние напряженности, в котором находится кристаллическая решетка, оказывает влияние на концентрацию вакансий, а следовательно, на диффузионный процесс.
5. Поверхность пластины должна быть тщательно очищена от загрязнений. Методика очистки зависит от характера предыдущих технологических операций, подготовки поверхности и самого диффузионного процесса.
У пластин, подвергаемых повторной локальной диффузии (планарный процесс), окна в маскирующем слое должны подвергаться специальной очистке от стекла, образующегося на предыдущей диффузионной операции в результате химического взаимодействия полупроводника с веществом источника диффузанта.