На рис. 7-20 в сечении и в плане изображен шлиф, выполненный с помощью шара диаметром D. Из треугольников АО В и СОЕ следует:
где Xj — глубина залегания р-п перехода; D — диаметр шара; d\ — диаметр лунки; — диаметр окружности пересечения пласкости р-п перехода с поверхностью лунки.
Преобразуя подкоренные выражения, можно записать:
Так как dx и d2 значительно меньше Д то последними членами под корнями можно пренебречь и тогда
Выгоднее измерять не диаметры лунки и окружности сечения ее плоскостью р-п перехода, а длину / хорды
Протекание тока через тонкую квадратную пластину.
лунки, касательной к этому сечению. Тогда полученное выражение приобретает вид:
Xj=l2/4D.
Замеры / производятся на проекционных установках, a Xj определяется по заранее составленным таблицам.
Поверхностную концентрацию примеси можно контролировать различными методами. Но вместо ее определения обычно ограничиваются определением величины поверхностного сопротивления. Поясним этот параметр.
Если взять квадратную пластину, через две боковые грани которой протекает ток (рис. 7-21), то сопротивление Rt Ом, такой пластины равно:
где р — удельное сопротивление материала, Ом-м; / — сторона квадрата, м; h — толщина образца, м.
Из формулы видно, что сопротивление не зависит от стороны квадрата. Поэтому для характеристики тонкого поверхностного слоя единичной толщины принята величина, получаемая путем деления удельного объемного сопротивления на толщину слоя. Эта величина носит название удельного поверхностного сопротивления ps слоя. Она имеет размерность Ом на квадрат (Ом/П).