Однако для проведения последующего диффузионного процесса пластины вновь комплектуются в партии. При этом необходимо строго следить за тем, чтобы в одну партию попадали только те пластины, которые ранее обрабатывались вместе. Лишь при этом условии будет достигнута достаточно стабильная воспроизводимость результатов обработки, а следовательно, стабильность параметров получаемых структур.
После окисления следует первая фотолитография. Непосредственно перед ее проведением окисленные пластины подвергаются тщательной очистке, которую часто проводят в следующем порядке:
кипячение в азотной кислоте (65%-ный раствор); промывка в проточной деионизованной воде  (15— 20 мин);
сушка на центрифуге;
ультразвуковая отмывка в растворителях (изопропи-ловом и этиловом спиртах); сушка на центрифуге.
Очищенные пластины сразу же передаются (в герметичной таре) на операцию по нанесению фоторезиста — первую операцию фотолитографического процесса (подробнее см. гл. 9).
В рассматриваемой технологической схеме целью первой фотолитографии является создание в окисном маскирующем слое большой группы окон, через которые будет проводиться диффузия базовой примеси. Число окон соответствует числу кристаллов, получаемых из пластины. Окнам придается вид кругов, диаметр которых определяется конструктивно-технологическими требованиями к создаваемым структурам и изготавливаемому прибору. В транзисторных структурах других приборов может быть иная геометрия базовых окон (квадрат, прямоугольник, овал и др.).