Предложено для определения толщины эпитаксиальных слоев использовать тетраэдрические дефекты упаковки. На плоскости (111) эти дефекты имеют вид равносторонних треугольников, на плоскости (ПО) вид равнобедренных треугольников, а на плоскости (100) — квадратов. Наиболее эффективно дефекты упаковки выявляются в травителе, содержащем равные объемы 48%-ной HF и 1%-ного водного раствора Сг03. Время травления незначительно (30 с), что позволяет проводить измерения без заметного уменьшения толщины эпитаксиальных слоев. Под микроскопом на поверхности эпитаксиального слоя измеряется длина стороны тетраэдрического дефекта а и вычисляется его толщина по формулам
dx = У 2/3 а = 0,816 для плоскости (111);
dx =]/Т/За = 0,581 для плоскости (ПО);
dx = 1/1/2" а = 0,704 для плоскости (100).
Точность метода зависит от точности ориентации, например, при отклонении от основной кристаллографической плоскости на 1° ошибка составляет менее ±3% для толщины 25 мкм и ±8% для толщины 6,5 мкм.
Промышленное получение автоэпитаксиальных слоев германия осуществляется двумя методами: в закрытой системе и в проточной системе.
Процесс кристаллизации в запаянных ампулах является самым простым методом получения автоэпитаксиальных слоев германия в закрытой системе. Ориентированный рост германия происходит в ампуле за счет химического переноса паров йодида германия при наличии двух зон постоянного нагрева с определенной разностью температур. Кварцевая ампула заполняется йодидом, который, воздействуя на исходный германий, образует парообразный йодид германия. При определенных термических условиях в двух-зонной печи из паровой фазы выделяется германий, который ориентированно нарастает на подложку во второй зоне. Для этого процесса характерным являются температуры первой и второй зоны. Температура ti характеризует зону, где помещен исходный германий и йод, ее значение колеблется от 500 до 550°С.