В отличие от всех описанных методов нанесения металлов вакуумное напыление имеет следующие основные преимущества:
1) большая равномерность толщины напыленного слоя по всей площади пластины;
2) широкие возможности для напыления пленок различных толщин (от тысячных долей до нескольких микрон);
3) высокая чистота процесса.
Все эти преимущества позволяют создавать элементы полупроводниковых приборов с большей плотностью расположения, более близкими электрическими параметра-
282
i\111 и меньших размеров (несколько микрометров й менее).
Рассмотрим факторы, определяющие структуру и электрофизические параметры пленок:
1) степень вакуума и состав остаточной газовой среды в процессе конденсации пленок;
2) качество обработки поверхности подложек;
3) скорость осаждения и температура подложки;   
4) состав и чистота испаряемого материала.
Степень вакуума и скорость испарения металла определяют количественное содержание примесей в пленке, а состав остаточной газовой среды — их качественный состав. Отношение количества молекул газа, попадающих на пленку, к количеству молекул металла, оседающих на подложке, можно определить выражением
где v — число молекул газа, попадающих на пленку; К — число молекул металла, оседающих на подложку; М — молекулярная масса металла; р — плотность пленки; NY — молекулярная масса остаточных газов; Т — абсолютная температура газа; Р — давление в системе, Па; dT/dt\ — скорость осаждения, мкм/с.
Зависимость k от давления при скоростях испарения алюминия от 0,001 до 0,1 мкм/с показана в табл. 9-4.
Из табл. 9-4 видно, что чем больше скорость испарения металла, тем меньше (при одном и том же давлении в системе) попадает в металлическую пленку газов, тем чище пленка.
Таблица 9-4