Следует иметь в виду, что при повышении температуры сушки свыше 140°С происходит задубливание негативных фоторезистов и исчезают светочувствительные свойства у позитивных фоторезистов.
Экспонирование фоторезиста через фотошаблон. Экспонирование— операция воздействия в течение некоторого времени на пленку фоторезиста световой энергией.
При экспонировании покрытую высушенной пленкой фоторезиста пластину кладут на операционный столик установки фоторезистом вверх. Чтобы пластина не перемещалась во время работы, ее прижимают к столику посредством вакуумного присоса..Сверху на пластину накладывают фотошаблон, укрепленный в специальной рамке, рабочая сторона которого должна быть обращена к слою фоторезиста пластины.
Если экспонированию подвергается пластина с уже имеющимся рельефом, требуется точно совместить рисунок фотошаблона с рельефом, имеющимся на пластине. Для удобства совмещения на фотошаблон и пластину наносят метки, различные виды которых показаны на рис. 10-4. После выполнения совмещения пластина подвергается облучению через фотошаблон. Время экспонирования подбирают опытным путем, добиваясь наилучшего воспроизведения рисунка.
Предварительный выбор времени экспозиции производится в соответствии с характеристической кривой — зависимостью толщины фоторезиста от времени экспозиции. На рис. 10-5 приведены характеристические кривые позитивного (нафтохинондиазид № 30) и негативного (поливинилцинномат) фоторезистов.
Для экспонирования негативных и позитивных рези-стов применяются угольные дуги, ртутно-кварцевые лампы типа ПРК-2, ПРК-4, СДВМ-250, ДРШ, СДВ-120, спектры которых отдают достаточную мощность в областях максимумов поглощения фоторезистов.
Проявление и  сушка
 Характеристические кривые позитивного  (1)  и   негативного (2) резистов. Я — в минутах.
опускают пластину и при постоянном покачивании про являют ее 2—4 мин. После проявления промывают пла стину под струей деионизованной воды в течение 1 мин. Затем высушивают ее на центрифуге в течение 1—2 мин.