Так, например, диаметр электронного пятна при плотности тока электронов около 1-Ю-9 А/см2 и ускоряющем напряжении 30 кВ достигает 0,08 мкм. Минимально достижимая ширина линии при экспонировании определяется как сумма диаметра пучка и толщины пленки фоторезиста.
Засветка может проводиться как сфокусированным, так и сканирующим пучком электронов, причем в последнем случае резко уменьшается время экспозиции (до нескольких секунд).
В электронолитографии могут быть использованы существующие для контактной фотолитографии фоторезисты.
Предельные размеры изображаемых элементов 0,1— 0,2 мкм.
После того как в кристалле сформированы предусмотренные конструкцией р-п переходы (а в кристаллах интегральных схем — и возможные пассивные элементы), сам кристалл становится полупроводниковым прибором с определенными электрофизическими параметрами. Однако эксплуатировать такой прибор еще нельзя, так как он в сильной степени подвержен воздействию внешней среды, обладает недостаточной механической прочностью, неудобен для присоединения к электрическим цепям. Чтобы сделать кристаллы удобными и надежными для эксплуатации в аппаратуре, их снабжают необходимым числом токоподводящих деталей (проводов) и заключают в оболочки.
Оболочка должна отвечать следующим требованиям: предохранять кристалл от механических повреждений;
препятствовать воздействиям внешней среды на электрические параметры прибора;
обеспечивать прочное присоединение токоподводов к кристаллу и надежную изоляцию токоподводов между собой;
позволять удобно и надежно монтировать прибор в аппаратуре;
рассеивать выделяющееся при работе прибора тепло;
поддерживать постоянство свойств газовой среды и материалов внутри прибора*/
не выделять частиц и веществ, способных нарушить поверхностное состояние кристалла и стабильность электрических параметров прибора;
выдерживать допустимые для прибора электрические нагрузки;
обладать высокой прочностью и выдерживать динамические нагрузки, в которых работает аппаратура;
обладать коррозионной стойкостью во влажной атмосфере и некоторых агрессивных средах;
иметь простое конструктивно-технологическое исполнение и низкую себестоимость.